СИБСТРИН

НАУКА.СИБСТРИН

Новосибирский государственный

архитектурно-строительный университет

(Сибстрин)

Способ изготовления объемных резисторов

Номер свидетельства
1035646
Автор
Манчук Р.В. Власенко Л.С. Катков В.Г. Маевский Е.К. Юдин О.А. Семикин П.В. Врублевский Л.Е. Жаворонков А.А.
Патенто-обладательдатель
СНИИЭ, НИСИ, ОПТП \Энерготехпром\
МКИ
Н 01 С 17/00
Приоритет
1981-09-16
Публикация
1983-08-15
Ключевые слова
электрические схемы, объемные резисторы, изготовление
Аннотация
Изобретение относится к области изготовления композиционных объемных резисторов, применяемых в электроэнергетике в качестве токоограничивающих, шунтирующих, разрядных элементов электрических схем.
Цель изобретения
Повышение удельной энергии рассеяния при одновременном повышении воспроизводимости электрических и механических характеристик резисторов.
Формула изобретения
Способ изготовления объемных резисторов, преимущественно из токопроводящих тонкоизмельченных или дисперсных веществ с портландцементом, включающий перемешивание смеси, прессование, выдержку, распрессование и сушку, отличающийся тем, что, сухую смесь прессуют под давлением 1000 -1500 кгс\\ кв.см, выдержку сухой смеси осуществляют 30-60 мин при том же давлении при одновременном её водонасыщении и после распрессования сушат до постоянного веса при 105-110 оС.
 
 Назад к списку